从储存芯片行业之争看储存器发展历程 图１ 储存器分为两种，一种是易失性储存（以SRAM储存器和DRAM储存器为代表），另一种是非易失性储存。当前市场上主流的储存器就三大类，分别...
从储存芯片行业之争看储存器发展历程 图１
储存器分为两种，一种是易失性储存（以SRAM储存器和DRAM储存器为代表），另一种是非易失性储存。当前市场上主流的储存器就三大类，分别是DRAM储存器、NAND闪存（NAND Flash）和NOR闪存（NOR Flash）。并且，近些年来，厂商们对DRAM储存器和NAND闪存的需要量甚多。如果回看储存芯片的发展史，就该知道，DRAM储存器和NOR储存器都最先是由英特尔研究出来的，NAND储存器则是由Toshiba开发出来的。随着互联网、通信与消费电子等行业一直朝着更高层次发展，人们不仅对智能手机和电脑等产品的需要量大增，还对这些产品的（性能）要求越来越高。于是，储存芯片行业也随之迅猛地发展。一年下来，储存器的产值已经增加到了700多亿美元，这在半导体的总产值中占了差不多四分之一的比率。DRAM储存芯片和NAND闪存芯片的产值之和又在储存器的产值中占去了90%左右的比率。
从储存芯片行业之争看储存器发展历程 图２
从储存芯片行业之争看储存器发展历程 图３
DRAM储存芯片这一市场基本是被三星、海力士和美光三家大厂瓜分。而NAND闪存芯片这个市场上的玩家主要就六家，分别是三星、海力士、美光、Toshiba、西部数据和英特尔。现在，国际上的DRAM储存器已经到了20nm节点以下，三星、海力士和美光已相继规划出了量产1x nm节点的DRAM储存芯片。至于NAND储存器，2D NAND闪存芯片已到了1z nm的阶段。比如，三星的14nm、海力士的13nm、美光的15nm和Toshiba的12nm 的NAND闪存，皆在2015年量产。从2014年起，3D NAND技术被厂商们使用到了闪存芯片行业中来，三星和西部数据都已量产了64层堆栈（512Gb）的3D NAND闪存芯片。
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